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[김준성, 김태환, 민병일 교수 연구실] “반데르발스 물질의 엑시톤 응축상태의 특성 규명”

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2016.09.29 / 904

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김준성 (1저자 김소영), 김태환, 민병일 교수 연구실은 준이차원 물질인 Ta2NiSe5의 엑시톤 응축 상태의 특성을 규명하였다. 연구결과는 ACS Nano 2016. 9. 27 게재되었다.

반도체에서 전자와 홀의 결합으로 형성되는 엑시톤은 반도체갭의 크기가 매우 작을 때 자발적 응축상태를 만들게 된다.

이 연구에서는 반데르발스 물질인 Ta2NiSe5에서 발현되는 엑시톤 응축상태가 2차원 층에 국소화되어 나타난다는 실험적인 증거를 기계적 박리를 통해 얻은 2차원 물질 특성변화 관측을 통해 제시하였다.

이 결과는 2차원 물질의 특이 기저상태를 이해하는데 중요한 기초를 제공할 것으로 기대된다.

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[그림: (왼쪽 위) Ta2NiSe5의 결정구조 (왼쪽 아래) Ta2NiSe5의 액시톤 응축상 전후의 전자구조 모식도 (오른쪽) 액시톤 응축상태 물질인 Ta2NiSe5 1T-TiSe2의 두께(층 수)에 따른 상전이 온도의 변화. Inset: 서로 다른 두께를 가지는 Ta2NiSe5박막결정의 온도에 따른 저항변화]


 

 

 

 

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