삼성전자 반도체연구소 박사/경력 채용공고

삼성전자 반도체연구소 박사/경력 채용공고

회사 소개 

 삼성전자 반도체연구소는 메모리 및 비메모리반도체의 차세대 소자 및 공정을 아우르는 연구소로서 한 발 앞선

기술 개발을 통한 기술 선도를 실현하고 세계 초 일류 Si Technology Leader로 도약하기 위해 우수 인재를

채용코자 하오니 많은 관심과 지원 바랍니다.

모집 부문

 □ Advanced Process & Module Development (DRAM, Flash, Logic, etc.)

   - Photolithography (e-beam, EUV, OPC/RET, Photo Resist Materials), Dry Etch,

      Cleaning & CMP, Diffusion, Ion Implantation, Metallization, Metrology & Inspection, etc.

    - Device Isolation, Transistor, Capacitor, Dielectric

    - High-K/Metal Gate, SiO2/SiON Gate Dielectric

    - Low-K, Interconnect, etc.

   ※ OPC : Optical Proximity Correction (Comput. Litho), MPC : Mask Process Correction 

 □ FEOL/BEOL Process Integration (DRAM / Flash / Logic, etc.)

 □ New Memory : PRAM, STT-MRAM, ReRAM, etc.

 □ TCAD/ECAD

    - Process & Device/Material Modeling, Circuit Compact/Reliability Modeling

    - Circuit Simulator Development

    - System-Level Modeling / Simulation, Virtual Platform, HW / SW Co-Design

    - Simics/CoWare/SOC Designer UserMemory Controller/Memory Architecture/SSD Research Experience       

 □ Advanced CMOS Image Sensor (CIS) Development

    - Pixel Design, Image Signal Processing, Mixed IC Design, Analog/Desital Design

     - CIS Process Development  

 □ Package Development

    - Wire Bonding & Flip Chip Package / Wafer Level Package (WLP/TSV)

    - Thining 및 PKG/Chip Warpage Control, Signal/Power/Thermal

    - Material Development & Failure Analysis

 ※ 전 공 : 전기전자, 물리/광학, 화학/화공, 재료/금속, 기계, 산업공학, 항공우주공학 etc.

 ※ 근무지 : 삼성전자(주) 화성캠퍼스 (경기도 화성시 소재)    

지원 자격

 □ 학사 학위 소지자의 경우 최소 4년이상의 관련 부문 경력 보유자

 □ 석사 학위 소지자의 경우 최소 2년이상의 관련 부문 경력 보유자

 □ 박사 학위 소지자 및 2012년 이내 박사학위 취득예정자

 □ 군필 및 면제자, 해외 여행에 결격 사유가 없는 자

지원 방법 및 기간

 □ 지원 방법 : 반드시 첨부 이력서 양식에 맞춰 작성 하신 後

                    삼성그룹 채용 공고사이트(http://www.samsungcareers.com)으로 접수 하시면 됩니다.

 □ 지원 기간 : 2011년 12월 30일(금) ~ 2012년 1월 12일(목) 23:50분까지

전형 절차

지원서 작성 - 지원서 검토 - 면접전형 - 건강검진 - 최종합격